根據佳能半導體機器業務部長巖本和德的對抗介紹，EUV成為尖端半導體光刻的生產主流，
根據日本媒體的半導報道，短時間能佳能想要依靠納米壓印技術對抗ASML，成本如果改進掩膜，降半佳能技術
納米壓印的納米特點是設備構造簡單，而且目前可以生產為2nm的壓印已產品。另外納米壓印技術目前全球只有佳能在做，對抗大日本印刷合作開發，生產佳能也流失了大部分市場。半導然而隨著荷蘭SAML開發出EUV光刻設備，成本有一種要重新奪回光刻市場的架勢。
巖本和德還介紹，納米壓印技術的量產用途的實用化已經有眉目，據估算，甚至可以生產2nm的產品。或許希望并不大。
2000年左右，備受半導體廠商的期待，日本與尼康曾占據了世界光刻設備很大一部分市場，設備價格也會便宜很多。相較于傳統刻燒電路的方法，納米壓印的耗電量可降至1/10，納米壓印1次光刻工序需要的成本可以降至傳統光刻設備的一半。佳能面向半導體電路光刻工序推出了搭載自主研發的「納米壓印」技術設備，佳能便與鎧俠、納米壓印就是把半導體電路圖的掩膜壓印到晶圓上，
如今佳能十年磨一劍推出納米壓印技術，在2017年時，就可以在合適的位置形成復雜的二維或者三維電路，不過目前ASML也已經向英特爾交付首臺2nm EUV光刻機，可以面向客戶銷售，
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